%0 Journal Article
%T 光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型
%A 张生才
%A 郑云光
%A 郭辉
%A 李树荣
%A 张世林
%A 郭维廉
%A 胡泽军
%A 夏克军
%J 电子学报
%P 790-792
%D 2003
%X 本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.
%K 光电双基区晶体管
%K 反馈电流
%K 瞬态电流
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3744.shtml