%0 Journal Article
%T 射频微机械CPW开关的研究
%A 张正元
%A 温志渝
%A 徐世六
%A 张正番
%A 黄尚廉
%J 电子学报
%P 671-673
%D 2003
%X 本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关.初步测试结果如下:开态电容为0.21pF,关态电容为6.1pF,致动电压为22V,关态下的隔离度为35dB,开态下插入损耗为3dB.该工艺完全与硅基IC工艺兼容,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化,降低体积提高可靠性打下了基础.
%K 射频微机械开关
%K CPW开关
%K 金属膜
%K 绝缘层
%K 牺牲层
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract1548.shtml