%0 Journal Article
%T 半导体THz辐射的MonteCarlo模拟
%A 刘东峰
%A 秦家银
%J 电子学报
%P 1314-1317
%D 2004
%X 本文介绍了作者开发的基于面向对象语言C++和统一建模语言UML的半导体输运及THz辐射的蒙特卡罗模拟软件,并用该软件模拟了在强超短脉冲激光(光生载流子密度1019cm-3)及强电场(100kV/cm)作用下GaAs的THz时域波形和相应的半导体表面局域场.通过分析THz时域波形,我们发现强外加电场下的载流子速度过冲、载流子屏蔽(或器件反应过冲)是形成THz时域波形双极结构的原因.功率谱的分析表明增加外加电场有益于提高THz的低频成份的辐射,但对高频部分(＞6THz)影响不大.
%K 蒙特卡罗方法
%K THz辐射
%K C++
%K UML
%K GaAs
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3914.shtml