%0 Journal Article
%T 应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型
%A 胡辉勇
%A 张鹤鸣
%A 戴显英
%A 王顺祥
%A 朱永刚
%A 区健锋
%A 俞智刚
%A 马何平
%A 王喜媛
%J 电子学报
%P 2056-2058
%D 2005
%X 应变Si(StrainSi)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.
%K 应变硅
%K 调制掺杂
%K 电子面密度
%K 阈值电压
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract5650.shtml