%0 Journal Article
%T 高精度分段曲率校正CMOS带隙基准的设计
%A 张春茗
%A 邵志标
%J 电子学报
%P 2193-2197
%D 2007
%X 本文提出了一种新颖的分段曲率校正技术,未增加额外掩模,在标准CMOS工艺条件下就可简单实现曲率校正,使带隙基准的温度系数减少约十倍.这种方法可应用到任何一种工艺获得非线性补偿.在SMIC0.18μMCMOS的工艺条件下,设计了一种高精度分段曲率校正全差分带隙基准.模拟结果表明输出差分参考电压为1.9997V,输出噪声电压为225nV/Hz,电源抑制比为98dB.并在CSMS0.5μM混合信号工艺条件下,高精度分段曲率校正单端带隙基准嵌入到单片100MHzPWM控制BUCKDC-DC转换器中提供参考电压,测试结果表明参考电压为1.2501V,输出噪声电压为670NvHz,电源抑制比为66.7dB,温度系数为2.7ppm/℃提高了6倍.本设计采用电流形式,因而通过改变参数,可使输出差分或单端参考电压小于1V,适合低压低功耗的便携式设备.
%K 曲率校正
%K 带隙基准
%K 低噪声
%K 非线性补偿
%K 微调
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract2746.shtml