%0 Journal Article
%T 动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟
%A 李毅
%A 王泽毅
%A 侯劲松
%J 电子学报
%P 29-31
%D 2000
%X 在高密度比特位动态随机存储器(DRAM)芯片的发展中,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出,已成为不可忽视的重要因素,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求.本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高,速度快,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件,并通过实例计算,分析DRAM中互连线寄生电容对电路性能的影响.
%K 寄生电容
%K 动态随机存储器
%K 堆叠存储电容器
%K 边界元素法
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract1861.shtml