%0 Journal Article
%T 电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析
%A 程子川
%A 蒋建飞
%A 蔡琪玉
%J 电子学报
%P 134-136
%D 2000
%X 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器,结合目前扫描隧道显微镜(STM)进行纳米加工的特点,设计了该存储器的电路结构及其结构参数,计算出电路的电容矩阵,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟.结果表明,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性,但具有较高的工作温度及工作稳定性.
%K 介观隧道结阵列
%K 单电子陷阱
%K 单电子晶体管静电探测计
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract5297.shtml