%0 Journal Article
%T 2~26GHzGaAs单片功率放大器
%A 陈雪军
%A 高建峰
%A 陈效建
%A 林金庭
%J 电子学报
%P 140-142
%D 2000
%X 报道了一个具有低噪声性能的2~26GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程.放大器采用分布式设计,在超宽带频率范围内增益为6.5±0.5dB,输入输出驻波比小于2.0.在2~20GHz内测得输出功率大于300mW,噪声系数为3.5~5.5dB.单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路,芯片面积为3.2mm×1.275mm×0.1mm.
%K 微波单片集成电路
%K 超宽带功率放大器
%K 高电子迁移率晶体管
%K 低噪声
%K HPRoot模型
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract5301.shtml