%0 Journal Article
%T 电子倍增型GaAs光阴极实验研究
%A 胡仓陆
%A 郭晖
%A 焦岗成
%A 彭岔霞
%A 冯驰
%A 徐晓兵
%A 周玉鉴
%A 成伟
%A 王书菲
%J 电子学报
%P 1549-1554
%D 2013
%R 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.08.015
%X 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.
%K 砷化镓
%K 光阴极
%K 雪崩倍增
%K 电子增益
%K 负电子亲和势
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract7774.shtml