%0 Journal Article
%T 应用于变化条件下延时分析的反相器模型
%A 王新胜
%A 喻明艳
%J 电子学报
%P 1448-1452
%D 2013
%R 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.07.032
%X 本文提出了一个考虑衬底耦合效应的门延迟模型.该模型在考虑衬底耦合效应下转换CMOS反相器的延迟为等效电阻和电容(RC)网络延迟.考虑工艺参数扰动和衬底耦合效应对门延时的影响,建立基于工艺扰动的简单开关电容门延迟模型,结合随机配置法和多项式的混沌展开法分析门延时.利用数值计算方法对本模型和分析方法进行验证,结果表明与HSPICE精确模型仿真结果的相对误差小于2％,证明本模型和分析方法的有效性.
%K 工艺变化
%K 反相器门延时模型
%K 衬底耦合效应
%K 多项式混沌
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract7696.shtml