%0 Journal Article
%T AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型
%A 杨燕
%A 王平
%A 郝跃
%A 张进城
%A 李培咸
%J 电子学报
%P 205-208
%D 2005
%X 基于电荷控制理论,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性和小信号参数的解析模型.计算表明,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著,2V栅压下,栅长为1μm的Al0.2Ga0.8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为1370mA/mm;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率.模拟结果同已有的测试结果较为吻合,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点,适于微波器件结构和电路设计.
%K AlGaN/GaN
%K 高电子迁移率晶体管
%K 解析模型
%K 极化效应
%K 寄生源漏电阻
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract1674.shtml