%0 Journal Article
%T 半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除
%A 闻瑞梅
%A 邓守权
%A 张亚峰
%A 葛伟伟
%J 电子学报
%P 197-199
%D 2005
%X 本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硅、硼条件.EDI进水SiO2浓度为1000μg/L,最佳出水硅为2.66μg/L,为目前国内最好水平.EDI进水硼浓度为50μg/L,最佳出水中硼含量为＜1μg/L.满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求(对于兆位电路硅要求＜3μg/L,硼要求＜1μg/L).
%K 电脱盐EDI(Electrodeioniation)硅
%K 硼
%K 高纯水
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract1660.shtml