%0 Journal Article
%T 电荷耦合器件辐射效应理论分析与模拟试验方法研究
%A 唐本奇
%A 肖志刚
%A 王祖军
%A 张勇
%A 黄绍艳
%A 刘敏波
%A 周辉
%A 陈伟
%J 电子学报
%P 1481-1484
%D 2007
%X 分析了CCD电离效应和位移损伤机理,建立了一种国产埋沟CCD器件物理模型,实现了CCD信号电荷动态转移过程的数值模拟,计算了1MeV、14MeV中子引起的CCD电荷转移效率的变化规律.建立了线阵CCD辐照效应离线测量系统,实现了CCD辐射敏感参数测试.利用Co-60γ源和反应堆脉冲中子,开展了商用器件总剂量和中子位移损伤效应模拟试验,在不同辐照条件下,给出了暗电流信号、饱和电压信号、电荷转移效率以及像元不均匀性的变化情况.
%K CCD
%K 辐射效应
%K 理论分析
%K 模拟试验
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract402.shtml