%0 Journal Article
%T 陷阱效应对4H-SiCMESFET频率特性的影响
%A 吕红亮
%A 张义门
%A 张玉明
%A 车勇
%A 王悦湖
%A 邵科
%J 电子学报
%P 933-936
%D 2008
%X 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiCMESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.
%K 碳化硅
%K MESFET
%K 深能级陷阱
%K 频率特性
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract2355.shtml