%0 Journal Article
%T 超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究
%A 刘静
%A 高勇
%J 电子学报
%P 2525-2529
%D 2009
%X 提出一种超低漏电流超快恢复SiGeCp-i-n二极管结构.基于异质结电流输运机制,该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流.与少子寿命控制技术相比,该器件有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间三者之间的矛盾.对不同温度下器件反向恢复特性研究结果表明,SiGeC二极管的反向恢复时间与同结构SiGe二极管相比,350K时缩短了1/3,400K时缩短了40%以上,器件的热稳定性显著提高,降低了对器件后续制作工艺的限制,有益于功率集成.
%K 硅锗碳
%K 超低漏电流超快恢复
%K 热稳定性
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract170.shtml