%0 Journal Article
%T 基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片
%A 黄伟
%A 胡南中
%A 李海鸥
%A 于宗光
%J 电子学报
%P 1858-1862
%D 2013
%R 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.09.31
%X 本文提出可集成自提取结终端的0.35μm150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现.
%K BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)
%K 场致发光
%K 自提取结终端
%K 高低侧全桥驱动
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract8049.shtml