%0 Journal Article
%T 低温下EMCCD电子倍增模型
%A 胡泊
%A 李彬华
%J 电子学报
%P 1826-1830
%D 2013
%R 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.09.025
%X 了研究低温下电子倍增CCD(EMCCD)的电荷倍增特性,根据电子碰撞电离原理,建立了电离率模型;并依据雪崩倍增积分关系,针对所分析的EMCCD器件,建立了其低场强的倍增模型.通过倍增模型的理论计算结果与TI公司提供的实际器件TC285SPD和TC253SPD的倍增曲线比较,说明所提出模型的数据能够很好地拟合实际的倍增曲线.该模型可以方便地计算在固定栅极电压下的电子信号通过多级级联电子倍增寄存器后的总增益,进而可用于EMCCD相机的增益调整和校正.
%K 半导体器件
%K 电荷耦合元件(CCD)
%K 低温
%K 电子倍增
%K 电离率
%K 数学建模
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract8043.shtml