%0 Journal Article
%T >0.3MeV高能电子注入辐射带槽区事件的分析与预报
%A 陈文磊
%A 谢伦
%J 地球物理学报
%P 2796-2804
%D 2010
%R 10.3969/j.issn.0001-5733.2010.12.002
%X 本文利用低高度太阳同步轨道系列卫星NOAA/POES从1996年到2006年的>0.3MeV高能电子观测数据,分析了>0.3MeV高能电子注入辐射带槽区的特征,研究了注入槽区事件与行星际条件、太阳活动和地磁扰动之间的联系.研究表明>0.3MeV高能电子注入辐射带槽区事件与磁暴的发生密切相关,注入事件的发生与太阳活动的强度有一定的相关性.在此研究的基础上,本文通过分析辐射带槽区>0.3MeV高能电子通量和Dst指数的相关性,提出了利用Dst指数推算辐射带槽区>0.3MeV高能电子通量的方法,继而给出了可行的辐射带槽区高能电子辐射环境的预警模式.
%K 辐射带槽区
%K 高能电子注入事件
%K 磁暴
%K Dst指数
%U http://manu39.magtech.com.cn/Geophy/CN/abstract/abstract3435.shtml