%0 Journal Article
%T 复合半导体桥的电爆特性
%A 周彬
%A 张文超
%A 彭金华
%A 徐兴
%A 徐振相
%A 王军
%A 秦志春
%A 邓吉平
%J 含能材料
%D 2015
%R 10.11943/j.issn.1006-9941.2015.01.002
%X 针对半导体桥小型化带来的点火可靠性问题, 制备了复合半导体桥, 采用高速存贮示波器对其在22 μF电容不同充电电压下的电爆过程进行了研究, 并与多晶硅半导体桥的电爆性能进行了对比。结果显示:在电爆过程爆发前, 复合半导体桥和多晶硅半导体桥的电爆过程基本一致; 爆发后特别是在高压时(50 V), 与多晶硅半导体桥相比, 复合半导体桥上电流下降缓慢，爆发所需时间稍偏长, 作用于等离子体上的能量稍多; 爆发后3 μs内, 复合半导体桥作用于等离子体上的能量增加较多, 因此复合半导体桥点火可靠性更高。复合半导体桥上金属薄膜的存在是造成上述结果差异的原因
%K 军事化学与烟火技术 电爆装置 半导体桥 点火起爆
%U http://www.energetic-materials.org.cn/hncl/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=2013184&flag=1