%0 Journal Article
%T 半导体桥上尖角、圆孔对其电爆性能的影响(英)
%A 周彬
%A 毛国强
%A 秦志春
%A 祝逢春
%A 徐振相
%A 陈飞
%A 张文超
%J 含能材料
%D 2009
%R 10.3969/j.issn.1006-9941.2009.03.023
%X 设计了14种带有尖角和圆孔的半导体桥，研究了在电容放电发火条件下尖角、圆孔对其发火时间、发火所消耗的能量等性能参数的影响规律，并从半导体桥的作用机理方面对实验结果进行了分析。结果表明，SCB上V型尖角使得SCB发火时间和发火所消耗的能量明显降低，而圆孔对SCB发火性能影响不明显。
%K 应用化学
%K 火工品
%K 半导体桥
%K 发火时间
%K 发火消耗能量
%U http://www.energetic-materials.org.cn/hncl/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=2008195&flag=1