%0 Journal Article
%T 半导体桥静电作用前后点火特性
%A 郭晓荣
%A 朱顺官
%A 张琳
%A 马鹏
%A 陈飞
%A 王大为
%J 含能材料
%D 2012
%R 10.3969/j.issn.1006-9941.2012.01.024
%X 对静电作用过的半导体桥和未经受静电作用的半导体桥进行D-最优化点火实验，得到全发火电压，并在全发火电压下点火，用示波器采集电压、电流以及发火时间等信号，用显微镜观察桥面的烧蚀情况并计算烧蚀面积。分析得到：静电对半导体桥的桥膜产生了损伤，静电电压越大，烧蚀面积越大；经过静电作用的桥与未静电作用的桥相比，全发火电压降低，发火能量减小，桥变得更加敏感。对全发火电压下的发火能量和发火时间进行t检验，得到21kV是临界值，静电电压大于21kV，静电对桥的性能影响明显；小于21kV，静电对桥的影响不大。
%K 军事化学与烟火技术
%K 半导体桥
%K 静电放电
%K 烧蚀面积
%K 电容放电
%K t检验
%U http://www.energetic-materials.org.cn/hncl/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=2011009&flag=1