%0 Journal Article
%T RDX单晶的生长诱导位错表征
%A 周小清
%A 李洪珍
%A 徐容
%A 王述存
%A 黄明
%J 含能材料
%D 2013
%X 采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40mm×40mm×30mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用SplitPearsonⅦ分析函数并对摇摆曲线进行了拟合,得到(210)、(200)和(111)晶面的摇摆曲线半高宽(FWHM),其值分别为35.35arcsec,45.31arcsec和77.92arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快；(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢,RDX单晶呈现出各向异性。
%K 有机化学
%K RDX大单晶
%K 摇摆曲线
%K 生长诱导位错
%U http://www.energetic-materials.org.cn/hncl/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=2012100&flag=1