%0 Journal Article
%T 细胞内渗透压改变对三叉神经电压门控钠离子通道电流的影响
%A 沈颉飞
%A 王海业
%A 麻颖宜
%A 刘云飞
%A 张书垣
%A 杜莉
%J 华西口腔医学杂志
%P 338-342
%D 2012
%R 10.3969/j.issn.1000-1182.2012.04.002
%X 目的探讨细胞内液渗透压对三叉神经节神经元（TRGN）上的电压门控钠离子通道（VGSCs）的生物力学影响。方法TRGN细胞从SD乳鼠分离出来之后，运用膜片钳全细胞记录的方法对VGSCs电流进行记录和分析，通过调节电极内液的组成成分来控制细胞内液渗透压；再与正常渗透压相对比，探讨低渗（260mOsm）和高渗（350mOsm）对通道激活和失活动力学的影响。结果与对照组相比较，细胞内液低渗刺激可以影响VGSCs电流的激活和失活特性，包括V0.5、失活曲线（G-V曲线）特征均有明显的统计学意义（P<0.05）；然而对于细胞内高渗刺激，仅VGSCs电流的失活特性有一定改变，包括失活速率和k值。结论三叉神经细胞上VGSCs的动力学参数可以通过细胞内液低渗和高渗进行调节，并可表现为不同的特征。
%K 三叉神经节神经元
%K 渗透压浓度
%K 电压门控钠离子通道
%K 电生理特性
%U http://www.hxkqyxzz.net/CN/abstract/abstract3304.shtml