%0 Journal Article
%T ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜
%A 胡娟
%A 吴爱民
%A 岳红云
%A 张学宇
%A 秦福文
%A 闻立时
%J 哈尔滨工程大学学报
%D 2011
%R doi:10.3969/j.issn.1006-7043.2011.06.023
%X 为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害，并进一步提高电池转换效率，提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型（100）硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR？？PECVD）技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层，改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜，探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明，在低温下，薄膜以非晶相为主，局部分布有零星的网格状晶化相，随着温度的升高，晶化趋势增加，晶化相颗粒大小在5~8 nm；当H2流量在20~40 mL/min变化时，随着流量的增加，薄膜晶化相增多，纳米硅尺寸在5~10 nm，但H2流量超过30 mL/min后，随着H2流量的增加，薄膜晶化率下降，纳米硅颗粒减少.利用H等离子体原位刻蚀方法，可明显改善薄膜晶化效果，经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀，颗粒大小在6 nm左右.
%K ECR？？PECVD
%K 太阳能电池
%K 薄膜
%K 纳米硅
%U http://heuxb.hrbeu.edu.cn/oa/darticle.aspx?type=view&id=20110622