%0 Journal Article
%T 强流脉冲电子束诱发单晶铜表层的缺陷结构
%A 顾倩倩
%A 王雪涛
%A 朱健
%A 邱冬华
%A 程秀围
%A 关庆丰
%A 储金宇
%J 哈尔滨工程大学学报
%D 2010
%R CNKI:SUN:HEBG.0.2010-04-023
%X 为了研究高速变形对金属材料微观结构的影响,利用强流脉冲电子束技术对单晶铜进行了辐照,并通过透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面微结构进行了分析.实验结果表明,位于电子束中心区域的单晶铜表层微结构以位错胞为主;而距离电子束中心区域较远处区域表层微结构则由大量的空位簇缺陷组成,在该区域很少能够观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹.根据各自区域的微结构特征,对相应的变形机制进行了探讨.强流脉冲电子束辐照导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.
%K 强流脉冲电子束
%K 单晶铜
%K 空位簇缺陷
%K 应力
%K 变形机制
%U http://heuxb.hrbeu.edu.cn/oa/darticle.aspx?type=view&id=20100402