%0 Journal Article
%T 高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备
%A 段瑜张筱丹
%A 孙浩
%A 朱亚安
%A 王光华
%A 宋立媛
%A 于晓辉
%A 万锐敏
%A 季华夏
%A 李亚文
%J 红外技术
%P 1022-1026
%D 2015
%R 10.11846/j.issn.1001_8891.201512006
%X 通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构，配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路，获得了发光峰位于535nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件，最大亮度可达20000cd/m2。其起亮电压为2.6V，亮度从20cd/m2到20000cd/m2的驱动电压摆幅为2.7V，最大电流效率为24.43cd/A。电流密度为20mA/cm2时，色坐标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。该器件在1000cd/m2和500cd/m2亮度下的半衰期为42559h和186208h。
%K 高亮度绿光
%K OLED
%K 微显示器件
%U http://hwjs.nvir.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201507010