%0 Journal Article
%T 具有TDMI功能的640×512双色碲镉汞焦平面读出电路
%A 白丕绩
%A 李敏
%A 王博
%A 陈虓
%A 梁艳
%A 洪建堂
%A 李立华
%J 红外技术
%P 1016-1021
%D 2015
%R 10.11846/j.issn.1001_8891.201512005
%X 研制出一种应用于单铟柱结构的长/中波双色叠层碲镉汞640×512焦平面CMOS读出电路（ROIC）。根据单铟柱结构的双色叠层碲镉汞探测器实际应用需求，读出电路设计了单色长波积分/读出、单色中波积分/读出、长/中波双色信号顺序积分/读出、长/中波双色信号分时多路积分（TDMI）/读出等四种工作模式可选功能。输入级单元电路分别采用长/中波信号注入管、复位管、积分电容及累积电容，并分别采用读出开关缓冲输出。为提高读出电路的适应性，各色信号通路分别设计了抗晕管以提高探测器的抗晕能力；读出电路采用快照（Snapshot）积分模式，单色积分时具有先积分后读出（ITR）/边积分边读出（IWR）可选功能；当读出电路工作在单色或双色信号顺序模式时，各色积分时间可调；此外读出电路具有多种规格及任意开窗模式。该读出电路采用0.35mm2P4M标准CMOS工艺，工作电压3.3V。读出电路具有全芯片电注入测试功能，测试结果表明，在77K条件下，读出电路的四种积分/读出模式工作正常，单色信号输出摆幅达2.3V，功耗典型值为65mW。
%K 长/中波双色焦平面
%K 单铟柱双色叠层结构
%K 双色读出电路
%K 时分多路积分
%U http://hwjs.nvir.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201501049