%0 Journal Article
%T 分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术
%A 覃钢
%A 李东升
%J 红外技术
%P 858-863
%D 2015
%R 10.11846/j.issn.1001_8891.201510010
%X Ⅴ族元素As在碲镉汞中具有较小的扩散系数，在非本征p型掺杂中得到广泛应用，在p-on-n型高性能探测器及双色或多色探测器应用方面优势明显。对分子束外延掺As碲镉汞薄膜的几种生长技术的基本原理进行了简单介绍，并对各方法存在的优缺点进行了对比分析；同时对As杂质在碲镉汞材料中的掺杂形态、杂质激活退火工艺及杂质激活率等进行了总结分析。对MBEAs掺杂在第三代多层膜结构器件的应用方面提出了建议。
%K 分子束外延
%K 碲镉汞
%K As掺杂
%K 退火
%K 杂质激活
%U http://hwjs.nvir.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201412061