%0 Journal Article
%T 直接带隙半导体系统中的磁相互作用
%J 华东师范大学学报(自然科学版)
%P 31-36
%D 2012
%X 运用精确的量子蒙特卡洛技术，研究了直接带隙半导体系统（Haldane-Anderson模型）中的磁相互作用.精确的数值解揭示了两种截然不同的自旋关联函数，均没有显示出明显的RKKY振荡行为；并且随着不同参数的变化，自旋关联函数呈现相当复杂的多因素控制的显著特征.这些行为对于理解一些磁性的半导体系统会有很大帮助，例如，稀磁半导体等.
%K 量子蒙特卡洛
%K 直接带隙半导体
%K Haldane-Anderson模型
%K RKKY
%U http://xblk.ecnu.edu.cn/CN/abstract/abstract24767.shtml