%0 Journal Article
%T ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究
%A 程吉凤
%A 朱耀明
%A 唐恒敬
%A 李雪
%A 邵秀梅
%A 李淘
%J 红外与激光工程
%P 2186-2189
%D 2013
%X 为获得低损伤、稳定性好的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀InGaAs探测器台面成型工艺，采用Raman光谱技术和X射线衍射（XRD）技术，初步研究了Cl2/N2气氛刻蚀InGaAs的主要损伤机制，确定以晶格缺陷损伤为主；并采用微波反射光电导衰退（μ-PCD）法对不同处理工艺下表面的缺陷损伤进行了表征和分析，结果表明刻蚀表面湿法腐蚀和硫化的方法可在一定程度上减小表面的缺陷损伤和断键，但是存在一些深层次的缺陷。
%U http://irla.csoe.org.cn/CN/Y2013/V42/I8/2186