%0 Journal Article
%T 283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器
%A 王晓勇
%A 种明
%A 赵德刚
%A 苏艳梅
%J 红外与激光工程
%P 1011-1014
%D 2013
%X 实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的AlGaN基p-i-n结构材料，通过对工艺流程的优化设计，制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器，获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%，n区Al组分为65%。探测器为直径500μm的圆形，光谱响应起止波长为260~310nm，峰值响应波长283nm。零偏压下，暗电流密度为2.7×10-10Acm-2，对应的R0A参数为3.8×108Ωcm2，峰值响应率为13mA/W，对应的峰值探测率为1.97×1012cmHz1/2W-1。其在-7V偏压下，峰值响应率达到148mA/W，对应的外量子效率达到63%。
%U http://irla.csoe.org.cn/CN/Y2013/V42/I4/1011