%0 Journal Article
%T InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算
%A 任彬
%A 石峰
%A 郭晖
%A 焦岗成
%A 胡仓陆
%A 成伟
%A 徐晓兵
%A 王书菲
%J 红外与激光工程
%P 3010-3014
%D 2015
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据Kramers-Kronig关系推出标准InGaAs材料光吸收系数。最后,结合转移电子光阴极量子效率模型,在给定P型标准InGaAs材料非平衡少子扩散长度分别是0.8、1.0、1.2、1.4、1.6和2.0mm的条件下,得到对能量在0.780260~0.820273eV区间内、间距为0.002eV的不同光子能量优化的InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度。
%K 标准InGaAs
%K 转移电子光阴极
%K 密度泛函理论
%U http://irla.csoe.org.cn/CN/Y2015/V44/I10/3010