%0 Journal Article
%T 商用Flash器件在空间应用中温变规律的实验研究
%A 王佑贞
%A 房亮
%A 刘彦民
%A 乔旷怡
%A 郭鹏
%J 红外与激光工程
%P 1539-1543
%D 2015
%X 分析了工业级Flash存储器件应用于空间电子产品时应考虑的温变规律和机理,并在-35～105℃的温度条件下对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器件K9××G08U×D系列进行了温循试验和高温步进应力试验,以评估其空间应用的可行性。试验结果显示:这一系列存储器在温度变化的情况下,电性能参数会发生规律性变化,其中页编程时间随温度的升高线性增大,105℃比-35℃时页编程时间增加15%;块擦除时间在低温条件下明显增大。在-35℃低温条件下,块擦除时间比常温条件高出72%,在105℃高温条件下,块擦除时间比常温条件高出10%。试验表明FlashK9××G08U×D系列存储器能够在-35～105℃的环境下工作,器件可正常擦写读,坏块没有增加。页编程时间随着温度的增加而增加,但是,仍然在器件的最大页编程时间之内。但是,在低温环境下,擦除时间会明显增加,在空间应用时需为擦除操作预留足够的时间。
%K 空间电子
%K Flash存储器
%K 温变规律
%K 实验Flash信号
%U http://irla.csoe.org.cn/CN/Y2015/V44/I5/1539