%0 Journal Article
%T 一种高带宽NP型CMOSAPD的研究
%A 王巍
%A 王川
%A 颜琳淑
%A 杜超雨
%A 王婷
%A 王冠宇
%A 王振
%A 冯世娟
%J 红外与激光工程
%P 699-704
%D 2015
%X 提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18μmCMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm,在反向偏压为16.3V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47A/W,3dB带宽为8.6GHz。
%K 雪崩光电二极管
%K CMOSAPD
%K 带宽
%U http://irla.csoe.org.cn/CN/Y2015/V44/I2/699