%0 Journal Article
%T 2μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计
%A 安宁
%A 刘国军
%A 李占国
%A 李辉
%A 席文星
%A 魏志鹏
%A 马晓辉
%J 红外与激光工程
%P 1969-1974
%D 2015
%X 利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的InGaAsSb/AlGaAsSb2μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及辐射复合率等性能参数的影响。研究表明:量子阱的个数是影响激光器件性能的关键参数,需要综合分析和优化。量子阱数太少时,量子阱对电子束缚能力弱,电子在p层中泄漏明显,辐射复合率低。量子阱数过多时,载流子在阱内分配不均匀,p型层中电子浓度升高,器件内损耗加大,辐射复合率下降。结合对外延材料质量的分析,InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器有源区最优量子阱数目为2~3。该研究结果可合理地解释已有实验报道,并为2μm半导体激光器结构设计提供理论依据。
%K 多量子阱激光器
%K 有源区量子阱数目
%K 数值模拟
%U http://irla.csoe.org.cn/CN/Y2015/V44/I7/1969