%0 Journal Article
%T 硅基APD器件的工艺及性能仿真分析
%A 王巍
%A 冯其
%A 武逶
%A 谢玉亭
%A 王振
%A 冯世娟
%J 红外与激光工程
%P 140-144
%D 2014
%X 硅基APD的性能取决于其器件结构与工艺过程。文中对n+-p-π-p+外延结构的APD器件的工艺和器件性能进行了仿真分析，为硅基APD器件的设计提供了理论指导。利用Silvaco软件对APD器件的关键工艺离子注入和扩散工艺进行了仿真，确定工艺参数对杂质的掺杂深度和掺杂分布的影响。并且，对于APD器件的性能进行了分析，对电场分布、增益、量子效率、响应度等参数进行了仿真分析。仿真结果表明：在给定的器件参数条件下，所设计的APD器件的增益为100时，响应度峰值为55A/W左右，在600~900nm范围内具有较高响应度，峰值波长在810nm。
%U http://irla.csoe.org.cn/CN/Y2014/V43/I1/140