%0 Journal Article
%T 阳极氧化法显示InSbPN结剖面
%J 红外与毫米波学报
%D 1986
%X PN结深度是制备半导体器件的所需重要参数之一。要测量结深,通常须把结剖面显露出来;一般采用的化学染色法,对于很多半导体都是适用的,并已成功地用于PN结研究,但是很难显示InSb的结剖面。IuSb晶片在KOH、NaOH等电解液中阳极氧化时,其氧化速率与样品掺杂浓度密切
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19860570&flag=1