%0 Journal Article
%T 应用K-K关系测量高掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的电学参数
%J 红外与毫米波学报
%D 1987
%X 基于K-K关系对高掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体N-GaAs和N-InP的反射谱用170SX型FT-IR仪器在50～27500cm~(-1)范围进行了数据处理,求出等离子体频率ω_p、阻尼系数γ、载流子浓度n、迁移率μ、电阻率ρ等重要的电学参数。
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19870470&flag=1