%0 Journal Article
%T 3～5μmPVInSb测器器的PSG钝化技术
%J 红外与毫米波学报
%D 1989
%X 分析了SiO_2+PSG+SiO_2三层钝化增透膜的生长工艺,对实验结果进行了热力学理论探讨;给出了高频电容-电压和光学透过特性曲线,并与SiO_2膜做了比较;对系统的限制因素进行了细致的研究.
%K 低温CVD
%K 磷硅玻璃
%K 表面固定电荷
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19890447&flag=1