%0 Journal Article
%T 异质结内建电压的研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1989
%X 本文提出了准确测量内建电压的W(结宽)-N_(eff)~(-1/2)(有效空间电荷密度)方法;并发现偏压强烈地影响内建电压;照明不改变异质结的内建电压,而使结宽变窄.偏压为零时,测得CdS/CuInSe_2:异质结的内建电压为:1.14V(样品CIS76.1-2),0.437V(样品CIS76.1-3),0.293V(样品CIS76.1-4).
%K 内建电压
%K 异质结电容
%K 异质结机制
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19890224&flag=1