%0 Journal Article
%T InGaAs/GaAs应变耦合量子阱光学性质的研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1989
%X 用光荧光和光电流实验方法研究了InGaAs/GaAs应变耦合量子阱的光学性质.实验表明,在耦合阱结构中,势垒愈薄,耦合愈强,其对称态←→对称态所对应的跃迁能量比未耦合阱中n=1重空穴激子跃迁能量降低更甚.实验中还观察到具有不同偏振特性的吸收峰,并根据这一特征指认了轻、重空穴的跃迁.用双阱耦合模型计算了耦合阱结构中受限态之间的跃迁能量,理论与实验符合较好.实验研究也表明,在实验样品的In组分下,轻空穴受限在GaAs阱层中.
%K 量子阱
%K 光学性质
%K InGaAS/GaAS
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19890216&flag=1