%0 Journal Article
%T Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数反常的检测和分析
%J 红外与毫米波学报
%D 1990
%X 系统地分析和研究了N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数的各种表现,从中归纳出三种霍耳参数反常的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料及其霍耳参数随温度和磁场变化的特征。通过实验和理论分析找出这三类材料电参数反常的起因,给出了正确判断材料性能及获取真实反映材料电学特性参数的方法。
%K HgCdTe
%K 半导体缺陷
%K 半导体电学性质
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19900550&flag=1