%0 Journal Article
%T Hg_(1-x)Cd_xTe的过热电子效应
%J 红外与毫米波学报
%D 1990
%X 研究了组分x=0.18～0.50的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.3～4.2K低温区和0～7T磁场强度下的过热电子效应,结果表明过热电子效应强烈依赖于样品的组份、电学参数以及材料的晶体质量。
%K 过热电子效应
%K Hg_(1-x)Cd_xTe
%K 输运特性
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19900440&flag=1