%0 Journal Article
%T HgGdTe子能带电子的磁光共振
%J 红外与毫米波学报
%D 1991
%X 报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10~(17)cm~(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋共振。定量地证明了窄禁带半导体量子阱子能带朗道能级的移动和交叉效应,这一效应起源于表面势的反演不对称所导致的较强的表面电子自旋轨道相互作用。
%K 碲镉汞(HgCdTe)
%K 二维电子气
%K 磁光效应.
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19910102&flag=1