%0 Journal Article
%T CZ—Si辐照缺陷的红外研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1991
%X 报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm~(-1)峰的退火曲线支持了Corbett和Stein提出的多重氧-缺陷复合体的模型。中子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时出现宽化现象是由于存在与830cm~(-1)峰组态相似的842、834和827cm~(-1)等卫星峰所致,并提出了对应于这些卫星峰的可能的缺陷模型。
%K 红外光谱辐照效应缺陷硅
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19910110&flag=1