%0 Journal Article
%T HgCdTe光导及扫积型器件的瞬态响应
%J 红外与毫米波学报
%D 1992
%X 从理论和实验上分析了HgCdTe光导(PC)及扫积型(SPRITE)器件的瞬态衰退过程,结果表明在高偏置电场下,光导器件的衰退过程近似线性,扫积型器件的衰退过程近似矩形.由衰退过程曲线可以确定过剩载流子的双极迁移率.
%K 光电导载流子瞬态响应HgCdTe
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19920451&flag=1