%0 Journal Article
%T 通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1992
%X 研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InGaAsP/InP单异质结,扩散结深还与InGaAsP覆盖层的厚度x_0有关.推导出其结深与扩散时间的函数关系为x_j/t~(1/2)=-x_0/(rt~(1/2))+I.
%K 扩散光电子器件锌磷化锢Zn
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19920229&flag=1