%0 Journal Article
%T 注入Ga离子的GaAs／AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%X 用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子阱峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移．发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关，并得到快速退火中的互扩散系数Ｄ约为１０－１５～１０－１７ｃｍ２／ｓ
%K 光荧光
%K 量子阱
%K GaAs／AlGaAs
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960696&flag=1