%0 Journal Article
%T P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%X 用分子束外延的方法ＧａＡｓ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好，在适当的热处理条件，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平，并具有良好的可重复性。
%K 分子束外延P型HgCdTe
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960578&flag=1