%0 Journal Article
%T 氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1996
%X 利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，部分ＳＴＤ消失；在９００℃高温下作较长时间退火，由于氧的浓度降低，ＳＴＤ完全消失
%K 浅热施主
%K 含氮Si单晶
%K 光热电离光谱
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19960457&flag=1